【半導体】産総研、ノイズを劇的に低減した立体型トランジスタを開発
掲載日:2014/12/17
産業技術総合研究所(産総研)は12月15日、立体型トランジスタ(フィンFET)の低周波ノイズをこれまでの最小レベルに低減する技術を開発したと発表した。同成果は、同所 ナノエレクトロニクス研究部門 シリコンナノデバイスグループの松川貴上級主任研究員、昌原明植研究グループ長らによるもの。
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掲載日:2014/12/17
産業技術総合研究所(産総研)は12月15日、立体型トランジスタ(フィンFET)の低周波ノイズをこれまでの最小レベルに低減する技術を開発したと発表した。同成果は、同所 ナノエレクトロニクス研究部門 シリコンナノデバイスグループの松川貴上級主任研究員、昌原明植研究グループ長らによるもの。
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