【技術】マンガン系合金ナノ薄膜を用いたMRAM記憶素子の開発に成功 大容量の不揮発性磁気抵抗メモリ(MRAM)の開発に寄与
ポイント
特性の優れたマンガン系合金ナノ薄膜からトンネル磁気抵抗(TMR)素子を作製することに世界で初めて成功。結晶格子のわずかな歪みが巨大なTMR効果発現につながることを理論計算から予測。次世代の低消費電力・大容量・高速なMRAM開発に寄与する成果。
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