【電子工学】世界初!反転層型ダイヤMOSFETの動作実証に成功 省エネ社会に大きく貢献する究極のパワーデバイスの実現へ
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ダイヤモンド半導体を用いた反転層チャネルMOSFETを作製しました。同MOSFETで、低消費電力のパワーデバイスに要求されるノーマリーオフ特性が実現されていることを実証しました。
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ダイヤモンド半導体を用いた反転層チャネルMOSFETを作製しました。同MOSFETで、低消費電力のパワーデバイスに要求されるノーマリーオフ特性が実現されていることを実証しました。
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