【発表のポイント】
•全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法を用いて、グラフェンのゲルマニウム版であるゲルマネンの原子配置の解明に成功•ポストグラフェンとなる新材料ゲルマネンを利用した次世代電子デバイス開発に貢献国立研究開発法人日本原子力研究開発機構(理事長 児玉敏雄、以下「原子力機構」)先端基礎研究センターの深谷有喜研究主幹らは、東京大学物性研究所(総長 五神真)の松田巌准教授らと高エネルギー加速器研究機構(機構長 山内正則、以下「KEK」)物質構造科学研究所の兵頭俊夫特定教授らのグループとの共同研究により、1)全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法を用いて単原子層状物質グラフェンのゲルマニウム版である 2)ゲルマネンの原子配置を決定しました。

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