【半導体工学】世界最高性能の半導体系トンネル磁気抵抗素子を開発 待機電力ゼロのトランジスタ実現へ道を拓く
ポイント
•半導体酸化ガリウムをトンネル障壁層とした全単結晶トンネル磁気抵抗(TMR)素子を開発• 半導体系TMR素子として室温における世界最高性能(磁気抵抗変化率92 %)を達成
• 超省電力トランジスタの実現へ道を拓き、待機電力ゼロのコンピューターへの貢献に期待概要
国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)スピントロニクス研究センター【研究センター長 湯浅 新治】 半導体スピントロニクスチーム付 齋藤 秀和 企画主幹は、独自に開発した単結晶酸化ガリウム(Ga2O3)の成膜プロセスを用いて、半導体Ga2O3をトンネル障壁層とした単結晶だけからなるトンネル磁気抵抗(TMR)素子を開発した。
