【半導体】FeAs-InAs単結晶超格子構造の作製に成功 東大など
東京大学ら、FeAs-InAs単結晶超格子構造を作製超格子構造全体が強磁性状態に
■低温分子線エピタキシー結晶成長法で実現
東京大学らの研究グループは2021年7月、InAs(インジウムヒ素)半導体結晶中のほぼ1原子層の平面にFe(鉄)原子を配列した「FeAs-InAs単結晶超格子構造」を作製することに成功し、さまざまな新しい物性を観測したと発表した。
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東京大学ら、FeAs-InAs単結晶超格子構造を作製超格子構造全体が強磁性状態に
■低温分子線エピタキシー結晶成長法で実現
東京大学らの研究グループは2021年7月、InAs(インジウムヒ素)半導体結晶中のほぼ1原子層の平面にFe(鉄)原子を配列した「FeAs-InAs単結晶超格子構造」を作製することに成功し、さまざまな新しい物性を観測したと発表した。
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