【材料】東大など、多様なトポロジカル相を持つトポロジカル・ディラック半金属を開発
東大など、多様なトポロジカル相を持つトポロジカル・ディラック半金属を開発著者:波留久泉
東京大学、福島工業高等専門学校(福島高専)、科学技術振興機構の3者は10月15日、高品質なα-スズ(α-Sn)薄膜をIII-V族半導体のインジウムアンチモン基板上に結晶成長させることに成功し、α-Sn薄膜のさまざまなトポロジカル物性を明らかにしたと発表した。
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東大など、多様なトポロジカル相を持つトポロジカル・ディラック半金属を開発著者:波留久泉
東京大学、福島工業高等専門学校(福島高専)、科学技術振興機構の3者は10月15日、高品質なα-スズ(α-Sn)薄膜をIII-V族半導体のインジウムアンチモン基板上に結晶成長させることに成功し、α-Sn薄膜のさまざまなトポロジカル物性を明らかにしたと発表した。
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