【半導体】東工大、溶液法で高性能のpチャネルTFTを開発
既存物質を組み合わせ長所生かす
東京工大、溶液法で高性能のpチャネルTFTを開発■IGZO-TFTと組み合わせ、高性能CMOSとして機能東京工業大学元素戦略研究センターの金正煥(キム・ジョンファン)助教、細野秀雄栄誉教授らは2022年1月、溶液法を用いて、優れた半導体特性を有する「pチャネル薄膜トランジスタ(TFT)」の開発に成功したと発表した。
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既存物質を組み合わせ長所生かす
東京工大、溶液法で高性能のpチャネルTFTを開発■IGZO-TFTと組み合わせ、高性能CMOSとして機能東京工業大学元素戦略研究センターの金正煥(キム・ジョンファン)助教、細野秀雄栄誉教授らは2022年1月、溶液法を用いて、優れた半導体特性を有する「pチャネル薄膜トランジスタ(TFT)」の開発に成功したと発表した。
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