【技術】高密度量子ドットによる低内部損失・高利得な量子ドットレーザー、電通大が開発
高密度量子ドットによる低内部損失・高利得な量子ドットレーザー、電通大が開発著者:波留久泉
電気通信大学(電通大)は2月1日、高密度量子ドットを用いて、低内部損失で高利得の量子ドットレーザーを開発したと発表した。同成果は、電通大 基盤理工学専攻の山口浩一教授らの研究チームによるもの。詳細は、応用物理学を扱う学術誌「Applied Physics Express」に掲載された。
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