【技術】理科大、次世代MRAM「SOT-RAM」の信頼性を向上させる読み出し方式を開発
理科大、次世代MRAM「SOT-RAM」の信頼性を向上させる読み出し方式を開発著者:波留久泉
東京理科大学(理科大)は3月17日、「スピン軌道トルクメモリ」(SOT-RAM)の読み出し信頼性を向上させるため、新たな読み出し経路を持つ「両方向読み出し方式」を提案し、これにより磁化反転電流としては従来経路より10倍程度のディスターブ低減が可能になったことを発表した。
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理科大、次世代MRAM「SOT-RAM」の信頼性を向上させる読み出し方式を開発著者:波留久泉
東京理科大学(理科大)は3月17日、「スピン軌道トルクメモリ」(SOT-RAM)の読み出し信頼性を向上させるため、新たな読み出し経路を持つ「両方向読み出し方式」を提案し、これにより磁化反転電流としては従来経路より10倍程度のディスターブ低減が可能になったことを発表した。
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