【物理】京大、SiC半導体により350°Cでも動作する集積回路の基本動作実証に成功
京大、SiC半導体により350℃でも動作する集積回路の基本動作実証に成功著者:波留久泉
京都大学(京大)は、SiC半導体の集積回路を用いてSi半導体の集積回路では動作不可能な350℃という高温環境における基本動作の実証に成功したことを発表した。同成果は、京大大学院 工学研究科の金子光顕助教、同・木本恒暢教授らの研究チームによるもの。
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