【半導体】従来以上に高品質なGaN結晶、東北大が作製に成功
従来以上に高品質なGaN結晶、東北大が作製に成功東北大学は5月26日、GaN基板の量産法として開発した「低圧酸性アモノサーマル(LPAAT)法」の実用化に向けた検討を進め、使用するシード基板の品質が成長後の結晶の品質に与える影響を明らかにしたこと、ならびに高品質なシードを用いることで成長後の結晶の結晶性も良くなり、室温のフォトルミネッセンススペクトルも自由励起子再結合によるバンド端発光が支配的になるほど高純度になることを確認したことなどを発表した。