【半導体】8インチのSiCウエハー開発へ、昭和電工と産総研が手を組んだ
8インチのSiCウエハー開発へ、昭和電工と産総研が手を組んだ昭和電工は産業技術総合研究所(産総研)と協力し、炭化ケイ素(SiC)バルク単結晶の高速成長技術開発に取り組む。2030年度までにSiCウエハーの欠陥密度を10分の1以下にすることで、現在主流の6インチの次段階である8インチウエハー開発を目指す。
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