【半導体】窒化アルミニウム系の次世代パワー半導体デバイスの作製に成功 名大と旭化成
窒化アルミニウム系の次世代パワー半導体デバイスの作製に成功 名大と旭化成
次世代パワー半導体などの材料として期待される窒化アルミニウム(AlN)系材料を使い半導体の基本構造である「pn接合」を作製することに名古屋大学と旭化成のグループが成功した。「AlN系pn接合」は、従来のSiC(シリコンカーバイド)やGaN(窒化ガリウム)と比べて特に電流-電圧特性が2倍と高電圧に対する優れた耐性を示した。
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