【半導体】九大などがMoS2ナノリボンのトランジスタ動作を実証、次世代半導体への応用に期待
九大などがMoS2ナノリボンのトランジスタ動作を実証、次世代半導体への応用に期待九州大学(九大)は1月9日、半導体性の二次元物質である二硫化モリブデン(MoS2)のナノリボンを化学蒸着法(CVD)を用いてサファイア基板上に高密度に成長させる方法を新たに開発し、ナノリボンの端が中心部の100倍近い触媒活性を示すこと、ならびにMoS2ナノリボンが半導体デバイスとして優れた電気特性を示すことを明らかにしたと発表した。