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【次世代メモリ】東大など、低動作電圧かつ長寿命の酸化ハフニウム系強誘電体メモリを開発
東大など、低動作電圧かつ長寿命の酸化ハフニウム系強誘電体メモリを開発著者:波留久泉 東京大学(東大)と科学技術振興機構(JST)は6月1日、富士通セミコンダクターメモリソリューションとの共同研究により、0.7~1.2V...
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【技術/電子工学】低電圧でも動作する有機強誘電体メモリーの印刷製造技術を開発 産総研など
有機強誘電体単結晶薄膜の作製過程図1 単結晶薄膜の作製 2-メチルベンゾイミダゾールの分子構造(a)、単結晶薄膜作製プロセスの概念図(b)、MBI単結晶薄膜の偏光顕微鏡写真(c)。試料の回転(偏光板の回転)により明暗が...