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磁気メモリ」のニュース一覧

  1. 科学ニュース+ 8res 0.0res/h

    磁気メモリー応用で応答速度100倍以上に…東大、室温で書き換えられる交替磁性体を発見 画像あり

    磁気メモリー応用で応答速度100倍以上に…東大、室温で書き換えられる交替磁性体を発見東京大学の高木里奈准教授と開田亮佑大学院生、関真一郎教授らは、室温で情報を書き換えられる交替磁性体を発見した。磁気メモ...

  2. 科学ニュース+ 7res 0.0res/h

    【物理】隠された磁気を超音波で診断 -高速磁気メモリ開発に向けた材料研究の新手法- 理研など 画像あり

    隠された磁気を超音波で診断 -高速磁気メモリ開発に向けた材料研究の新手法-理化学研究所(理研)創発物性科学研究センター 量子ナノ磁性研究チームのトマス・リヨンス 学振特別研究員(研究当時)、ホル...

  3. ニュース速報+ 18res 0.5res/h

    【技術】阪大ら、省エネ磁気メモリを実現する新原理発見 電圧磁気効果を現状の10倍に 画像あり

    2017年06月27日 10時30分 更新 大阪大学の三輪真嗣准教授らは、電気的に原子の形を変えることで、発熱を抑えた超省エネ磁気メモリを実現できる新しい原理を発見した。[馬本隆綱,EE Times Japan] 新材料開発で電圧駆...

  4. 科学ニュース+ 12res 0.0res/h

    【材料科学/電子工学】新構造磁気メモリ素子を開発 スピン軌道トルク磁化反転の第3の方式の動作を実証

    ポイント 超高速・低消費電力集積回路の実現に適した新構造磁気メモリ素子を開発。スピン軌道トルクを用いた第3の磁化反転方式の動作実証に成功。第3の磁化反転方式は既存の2つを上回る超高速動作を低電流で実現可能...

  5. 科学ニュース+ 24res 0.0res/h

    【技術】不揮発磁気メモリー(STT-MRAM)の記憶安定性を2倍に向上 大容量STT-MRAMの実用化開発を加速

    ポイント •極薄コバルト層の開発により記憶安定性を2倍に向上• 記憶素子の低素子抵抗特性を併せ持つ垂直磁化トンネル接合を実現 •20ナノメートル以下世代の大容量STT-MRAM開発を加速概要 国立研究...

  6. 科学ニュース+ 25res 0.0res/h

    【技術】電圧書込み方式不揮発性メモリーの安定動作の実証と書込みエラー率評価 超低消費電力の電圧書込み型磁気メモリーの実現に道筋

    ポイント 不揮発性メモリーMRAMの新しい書込み方式「電圧書込み」の安定動作を実証。実用上重要な書込みエラー率の評価法を開発、実用化に必要なエラー率実現に道筋。電圧書込み型の不揮発性メモリーによる情報機器...

  7. 科学ニュース+ 15res 0.0res/h

    【材料科学】磁性絶縁体中の磁壁における金属的性質を観測 磁場や温度で制御可能な新しい磁気メモリーの実現に期待 理研など 画像あり

    図1 マイクロ波インピーダンス顕微鏡を用いたNd2Ir2O7多結晶の伝導特性の観測 試料は複数の結晶粒が集まった多結晶体で、それぞれの結晶粒内で二つの異なった配置(Aドメイン、Bドメイン)をもつ磁区が分布している。...

  8. 科学ニュース+ 50res 0.0res/h

    【材料科学】異常ホール効果を、反強磁性体において初めて、かつ、室温以上の温度で観測 革新的磁気メモリ材料の発見 東大 画像あり

    図1 ホール効果(a)と自発磁化を持つ場合の異常ホール効果(b)と持たない異常ホール効果(c) 強磁性体における異常ホール効果では、自発磁化の発生とともにゼロ磁場でホール効果が自発的に現れる。スピンの秩序を伴わ...

  9. 科学ニュース+ 41res 0.0res/h

    【技術/電磁気学】フェムト秒レーザーによる磁気弾性波の発生と磁区の駆動に成功 光による高速磁気メモリ制御の実現へ前進 理研 画像あり

    光による磁気弾性波の発生と磁区の駆動に成功 | 60秒でわかるプレスリリース | 理化学研究所図1 鉄ガーネット薄膜中に発生した球面波状の磁気弾性波 中央に直径4 μmに集光したフェムト秒レーザー光を鉄ガーネット薄...

  10. ビジネスニュース+ 90res 0.1res/h

    【技術】東芝、HDDの多層記録技術の実証実験に成功~磁気メモリ、磁気テープなどにも応用可能 画像あり

    東芝は7日、多層磁気記録に関する新技術の実証実験の成功を発表した。実験で実証されたのは、マイクロ波磁界を用いて多層の磁性体の磁化の向きを層を選択して反転させる技術。磁気記録の記録密度を高める方法として...

  11. 科学ニュース+ 12res 0.0res/h

    【材料物性/半導体】東大など、次世代磁気メモリ材料開発につながる電気分極成分を発見 画像あり

    掲載日:2015年1月14日 東京大学は1月9日、ビスマスフェライトにおいて磁場で制御できる新たな電気分極成分を発見し、この成分が室温で示す不揮発性メモリ効果を観測したと発表した。同成果は、同大 物性研究所の徳永...

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