産総研、窒化物半導体の薄膜結晶形成に向けた新たな気相成長技術を開発産業技術総合研究所(産総研)は4月27日、窒化物半導体、特に「窒化インジウム」(InN)や、インジウム含有率の大きい「窒化インジウムガリウム」(I...

コヒーレンス時間は数十μs台、窒化物超伝導量子ビットの開発に成功情報通信研究機構は2021年9月20日、産業技術総合研究所、名古屋大学と共同で、シリコン基板を用いた窒化物超伝導量子ビットを開発したと発表した。...

NICTや産総研ら、世界初の「窒化物超伝導量子ビット」開発情報通信研究機構(NICT)は20日、産業技術総合研究所(産総研)、東海国立大学機構 名古屋大学と共同で、シリコン基板上のエピタキシャル成長を用いた窒化物超...

東京工業大学(東工大)は6月21日、マテリアルズ・インフォマティクスと実験の連携により、希少元素を使わずに赤く光る新窒化物半導体を発見したと発表した。同成果は、東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材...

ポイント •窒化アルミニウムにマグネシウムとニオブを添加して世界最高水準の性能を持つ圧電材料を開発•レアアースのスカンジウムを使わずに安価なマグネシウムとニオブで圧電性能を向上• 次世代...

図1　本研究における反応の概略図 最初の反応では、酸素イオン(O2−)の一部が水素イオン(H−)に交換される。次の反応(本研究)で、水素イオンが窒素イオン(N3−)へと変換される。“活性水素”(ヒドリ...