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【材料物性/半導体】東大など、次世代磁気メモリ材料開発につながる電気分極成分を発見
掲載日:2015年1月14日 東京大学は1月9日、ビスマスフェライトにおいて磁場で制御できる新たな電気分極成分を発見し、この成分が室温で示す不揮発性メモリ効果を観測したと発表した。同成果は、同大 物性研究所の徳永...
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掲載日:2015年1月14日 東京大学は1月9日、ビスマスフェライトにおいて磁場で制御できる新たな電気分極成分を発見し、この成分が室温で示す不揮発性メモリ効果を観測したと発表した。同成果は、同大 物性研究所の徳永...
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