【半導体】産総研、次世代不揮発性メモリMRAMの3次元積層プロセス技術を開発
周藤瞳美 [2017/05/19]
産業技術総合研究所(産総研)などは5月16日、次世代の不揮発性メモリであるとされる磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の3次元積層プロセス技術を開発したと発表した。
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周藤瞳美 [2017/05/19]
産業技術総合研究所(産総研)などは5月16日、次世代の不揮発性メモリであるとされる磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の3次元積層プロセス技術を開発したと発表した。
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