【MRAM】記憶容量、DRAMの10倍以上へ 東北大が新素子
東北大学の大野英男教授らは電子の磁石の性質を利用しデータを記憶する半導体メモリー「MRAM」で、新型の素子を開発した。携帯端末やパソコンに搭載するDRAMの10倍以上の記憶容量が期待でき、省エネにも役立つ。企業と組んで5年後の製品化を目指し、DRAMの代替を狙う。開発したのはスマートフォン(スマホ)などの中で演算素子と組み合わせ、高速演算中のデータを保存するメモリー素子。
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東北大学の大野英男教授らは電子の磁石の性質を利用しデータを記憶する半導体メモリー「MRAM」で、新型の素子を開発した。携帯端末やパソコンに搭載するDRAMの10倍以上の記憶容量が期待でき、省エネにも役立つ。企業と組んで5年後の製品化を目指し、DRAMの代替を狙う。開発したのはスマートフォン(スマホ)などの中で演算素子と組み合わせ、高速演算中のデータを保存するメモリー素子。
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