【速報】日本、原子層制御し、高速動作、消費電力50分の1、電力を切っても記録保持、 次世代メモリー「MRAM」を開発
原子層制御により磁気メモリー素子の平坦性および磁気安定性を改善次世代不揮発性磁気抵抗メモリーMRAMの開発を加速・原子層レベルで制御されたタンタルを下地に用いることで磁気記憶層を平坦化することに成功・磁気安定性および電圧磁化制御効率の劣化要因となる原子拡散を抑制・超低消費電力な次世代磁気抵抗メモリーMRAMの実現に期待2021/7/21
MRAMは微細化とは異なる手法で従来の50分の1以下の消費電力や高速動作を実現。
