【技術】不揮発磁気メモリー(STT-MRAM)の記憶安定性を2倍に向上 大容量STT-MRAMの実用化開発を加速
ポイント
•極薄コバルト層の開発により記憶安定性を2倍に向上• 記憶素子の低素子抵抗特性を併せ持つ垂直磁化トンネル接合を実現
•20ナノメートル以下世代の大容量STT-MRAM開発を加速概要
国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)スピントロニクス研究センター【研究センター長 湯浅 新治】金属スピントロニクスチーム
薬師寺 啓 研究チーム長は、次世代のメモリーデバイスであるスピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリー(STT-MRAM)に用いられる垂直磁化トンネル磁気抵抗(TMR)素子の記憶安定性を従来の2倍に向上させた。
