【物性物理学】磁性半導体(Ga,Mn)Asが強磁性をしめすメカニズムを解明 20年来続く論争に終止符
東北大学原子分子材料科学高等研究機構の相馬清吾准教授、高橋隆教授、松倉文礼教授、Tomasz Dietl教授、大野英男教授 、同理学研究科の佐藤宇史准教授らの研究グループは、磁性半導体(Ga,Mn)Asの強磁性発現機構の解明に成功しました。(Ga,Mn)Asは、よく知られた半導体であるGaAsに高濃度でMnを注入することで得られる物質です。
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