【材料】NIMS、2種のMOSFETを組み合わせたダイヤモンド論理回路チップを開発
周藤瞳美
[2017/05/31]
物質・材料研究機構(NIMS)は5月31日、過酷環境下に強いダイヤモンド集積回路を開発するための第一歩として、2種類の動作モードを持つ金属-酸化物-半導体(MOS)電界効果トランジスタ(FET)を組み合わせたダイヤモンド論理回路チップの開発に成功したと発表した。
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