【不揮発メモリ】産総研、MRAMの磁気安定性を飛躍的に改善 極薄Ta層で磁気記憶層を平たん化
産総研、MRAMの磁気安定性を飛躍的に改善極薄Ta層で磁気記憶層を平たん化
■400℃で熱処理した後もTMRが大きく、高い制御効率を保持産業技術総合研究所(産総研)新原理コンピューティング研究センター不揮発メモリチームの山本竜也研究員と野﨑隆行研究チーム長らは2021年7月、原子層レベルで制御されたタンタル(Ta)を下地に用いることで、磁気抵抗メモリ(MRAM)の磁気安定性を飛躍的に改善する技術を開発したと発表した。