NICTや産総研ら、世界初の「窒化物超伝導量子ビット」開発情報通信研究機構(NICT)は20日、産業技術総合研究所(産総研)、東海国立大学機構 名古屋大学と共同で、シリコン基板上のエピタキシャル成長を用いた窒化物超伝導量子ビットの開発に世界で初めて成功したと発表した。この量子ビットは、超伝導体として超伝導転移温度が16ケルビン(-257℃)の窒化ニオブ(NbN)を電極材料とし、ジョセフソン接合の絶縁層に窒化アルミニウム(AIN)を使用してエピタキシャル成長させた全窒化物となる。

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