【材料】名大、欠陥の少ない高品質な6インチSiC単結晶基板の作製に成功
名大、欠陥の少ない高品質な6インチSiC単結晶基板の作製に成功著者:波留久泉
名古屋大学(名大)は10月22日、6インチのSiC単結晶基板を、高品質な結晶成長が可能である「溶液成長法」を用いて作製することに成功したと発表した。同成果は、名大 未来材料・システム研究所の朱燦特任助教、同・宇治原徹教授らの研究チームによるもの(結晶の加工については日立金属の協力を得ている)。
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