【半導体】高い正孔移動度などを実現したダイヤモンドFET、NIMSなどが作製に成功
高い正孔移動度などを実現したダイヤモンドFET、NIMSなどが作製に成功著者:波留久泉
物質・材料研究機構(NIMS)は1月18日、「ダイヤモンド電界効果トランジスタ(FET)」を新しい設計指針に基づいて作製し、高い正孔移動度とノーマリオフ動作を示すことを実証したと発表した。
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