【半導体】“最良”の半導体材か、シリコン上回る特性「立方晶ヒ化ホウ素」で確認 米(Science)
“最良”の半導体材か、シリコン上回る特性「立方晶ヒ化ホウ素」で確認米マサチューセッツ工科大学(MIT)や米ヒューストン大学などの研究チームは、半導体材料として立方晶ヒ化ホウ素(c―BAs)がシリコンを上回る特性を持つことを実験で確認した。電子だけでなくホール(正孔)の移動度も同様に高く、熱伝導性に優れることから「これまでで『最良』の半導体材料ではないか」としている。
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“最良”の半導体材か、シリコン上回る特性「立方晶ヒ化ホウ素」で確認米マサチューセッツ工科大学(MIT)や米ヒューストン大学などの研究チームは、半導体材料として立方晶ヒ化ホウ素(c―BAs)がシリコンを上回る特性を持つことを実験で確認した。電子だけでなくホール(正孔)の移動度も同様に高く、熱伝導性に優れることから「これまでで『最良』の半導体材料ではないか」としている。
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