【半導体】高正孔濃度かつ高移動度のp型半導体の薄膜を作製する技術、東北大などが開発
高正孔濃度かつ高移動度のp型半導体の薄膜を作製する技術、東北大などが開発東京工業大学(東工大)は9月14日、正孔輸送材料の性能を向上させる等原子価の不純物を用いた正孔ドーピング法を新たに開発したことを発表した。
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高正孔濃度かつ高移動度のp型半導体の薄膜を作製する技術、東北大などが開発東京工業大学(東工大)は9月14日、正孔輸送材料の性能を向上させる等原子価の不純物を用いた正孔ドーピング法を新たに開発したことを発表した。
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