磁気メモリー応用で応答速度100倍以上に…東大、室温で書き換えられる交替磁性体を発見
磁気メモリー応用で応答速度100倍以上に…東大、室温で書き換えられる交替磁性体を発見東京大学の高木里奈准教授と開田亮佑大学院生、関真一郎教授らは、室温で情報を書き換えられる交替磁性体を発見した。磁気メモリーに応用すると素子を100倍以上集積化し、応答速度を100倍以上高められると期待される。ありふれた元素で構成される硫化鉄で実証したため、資源制約の少ない次世代メモリーになる可能性がある。
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