【材料物性/半導体】東大など、次世代磁気メモリ材料開発につながる電気分極成分を発見
掲載日:2015年1月14日
東京大学は1月9日、ビスマスフェライトにおいて磁場で制御できる新たな電気分極成分を発見し、この成分が室温で示す不揮発性メモリ効果を観測したと発表した。同成果は、同大 物性研究所の徳永将史准教授らによるもの。産業技術総合研究所(産総研)、福岡大学、上智大学、青山学院大学と共同で行われた。
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