【材料】名大がMg挿入GaN型超格子の形成に成功、P型GaNデバイスの性能向上に期待(Nature)
名大がMg挿入GaN型超格子の形成に成功、P型GaNデバイスの性能向上に期待名古屋大学(名大)は7月4日、GaNと金属マグネシウム(Mg)の簡単な熱反応により、独特な超格子構造が形成されることを確認し、P型GaNベースデバイスの性能向上の可能性が示されたと発表した。同成果は、名大 高等研究院/未来材料・システム研究所の王嘉 YLC特任助教、同・天野浩 教授らの研究グループによるもの。
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